Snapdragon 710 soc būs par 20% ātrāks nekā Snapdragon 660

Snapdragon 660 bija vadošā mikroshēma vidējā diapazona diapazonā, taču tehnoloģija progresē pārāk ātri, un tagad Qualcomm Snapdragon 710 mikroshēma (mērķauditorijas atlase sākuma līmeņa sektorā) to pārspēj ne tikai veiktspējas, bet arī energoefektivitātes ziņā..

Snapdragon 710 tiks izmantots zemāka vidēja diapazona viedtālruņos

Iepriekš Snapdragon 660 tika pasludināts par labāko mikroshēmojumu vidējā diapazona spektrā, taču to ir aizstāvējis jaunākais 10 nm FinFET SoC. Starp Snapdragon 710 un Snapdragon 660 pastāv ievērojams atšķirību līmenis, ko mēs detalizēti aprakstīsim zemāk.

Svarīgi ir tas, ka tāpēc, ka Snapdragon 710 ir veidots ar 10 nm LPP, tā efektivitātes rādītāji būs daudz labāki nekā Snapdragon 660 14 nm FinFET LPP. Jaunajā Snapdragon 710 ir iekļauti pielāgoti Kryo serdeņi ar 2 x Kryo 360 iestatījums pie 2, 20 GHz + 6 x Kryo 360 pie 1, 70 GHz, savukārt Snapdragon 660 ir 8 x Kryo 260 iestatījums pie 2, 20 GHz.

Kas attiecas uz GPU, jaunajā SoC tiks izmantots Adreno 616, kas aizstās Adreno 512, kas piedāvās par 35% lielāku grafikas veiktspēju. Sasniegtā energoefektivitāte ir 40%, salīdzinot ar 660 mikroshēmu modeli.

Viens no lielākajiem ieguvumiem būs arī AI puse. Qualcomm saka, ka tas iegūs divkāršu veiktspēju lietojumprogrammās, kurās tiek izmantots AI, piemēram, sejas atpazīšanā (piemēram).

Tā rezultātā Snapdragon 710 būs par 20% ātrāks nekā Snapdragon 660. Mēs nevaram gaidīt, lai redzētu jaunos zemās klases tālruņus ar šo mikroshēmu.

Wccftech fonts