Samsung paziņo par exynos 9, pirmo mikroshēmu, kas izgatavota 10 nm attālumā

Samsung ir oficiāli prezentējis savu jauno Exynos 9 Series 8895 mikroshēmu, kas būs klāt jaunajos Samsung Galaxy S8 tālruņos. Paziņojums par šo jauno procesoru iezīmē tehnoloģisko pavērsienu, jo tas ir pirmais 10 nanometru pusvadītājs, kas nākamajos mēnešos nonāks tirgū.

Exynos 9 ir visspēcīgākais procesors, ko jebkad izveidojis Samsung

Exynos 9 Series 8895 ir procesors, kas paredzēts tikai mobilajiem tālruņiem, un tam ir jauns 10nm FINFET ražošanas process un 3D tranzistora struktūra, kas līdz šim ir vismodernākā pasaulē. Šis jaunais ražošanas process uzlabo veiktspēju par 27% un samazina enerģijas patēriņu par 40%, salīdzinot ar iepriekšējo 14 nm modeli. Enerģijas patēriņa pieaugums būs ļoti pamanāms, lai uzlabotu nākamo Samsung tālruņu autonomiju, kas ir daudz svarīgāk nekā ātruma uzlabošana.

Exynos 9 ir astoņu kodolu centrālais procesors, četri no tiem ir augstas veiktspējas 2, 5 GHz frekvencē un četri mazjaudas Cortex-A53 kodoli ar ātrumu 1, 7 GHz. Komplektā ir Mali G71 MP20 GPU, kas darbojas ar frekvenci 550 MHz un atmiņas kontrolieris ar LPDDR4 atbalstu.

Iekļauts arī jaunais modems LTE Cat 16, kas nodrošina tiešsaistes datu pārsūtīšanas ātrumu līdz 1 gigabitiem un apstrādes ierīci, kas spēj reģistrēt 4K saturu ar ātrumu 120 kadri sekundē.

Exynos 9 pašlaik atrodas masveida ražošanas procesā un tiks izmantots nākamajā Samsung Galaxy S8 kopā ar Snapdragon 835, kas arī tiek ražots 10 nanometros. Samsung izmantos vienu vai otru mikroshēmu atkarībā no reģiona pilnīgi jaunajam Samsung Galaxy S8, kas gaidāms aprīlī.