Toshiba aizstāv optānu ar savu xl tehnoloģiju

Toshiba augstākā līmeņa sanāksmē par zibatmiņu paziņoja, ka tā attīsta 3D XL-Flash tehnoloģiju, galveno uzmanību pievēršot zema latentuma 3D NAND atmiņas izveidošanai, kas var konkurēt ar jaunām Optane un 3D XPoint atmiņas tehnoloģijām. Toshiba saka, ka jaunā pieeja zemas latentuma NAND atmiņai varētu samazināt latentuma vērtības līdz tikai 1/10 no pašreizējās NAND TLC patērētāja cenas.

XL-Flash tehnoloģija sola uzlabot 3D-NAND atmiņas latentumu

Atjauninātā NAND arhitektūra ar XL-Flash varētu būt līdzvērtīga tam, ko Samsung dara ar savu Z-NAND tehnoloģiju, kas varētu samazināt ražošanas izmaksas salīdzinājumā ar Optane. Toshiba izmantos savu BiCS zibspuldzes tehnoloģiju, bet XL-Flash vismaz sākotnēji tiks ievietots SLC izvietošanā, lai uzlabotu veiktspēju (7 mikrosekundēs reakcijas laiks pretstatā 30 mikrosekundēm QLC). Protams, tas samazinās uzglabāšanas blīvumu, taču atcerēsimies, ka mērķis ir piedāvāt Optane līdzīgu veiktspēju un vienādu vai labāku blīvumu par zemāku cenu.

Toshiba veiktspējas uzlabošanas pasākumi ietver bitu un vārdu līniju saīsināšanu, iekšējos savienojumus starp šūnām vai īsāku ceļu starp šūnām nozīmē zemāku latentumu un labāku veiktspēju. Turklāt paralēlisms un veiktspēja ir palielināta, pievienojot vairāk zibspuldzes plakņu - neatkarīgus reģionus, kas vienlaikus var atbildēt uz datu pieprasījumiem.

Paredzams, ka XL-Flash tiks izmantots kā kešatmiņa augsta blīvuma QLC diskdziņos, kā arī atsevišķi produkti, kas mēģina atvienot to, ko piedāvā Intel Optane atmiņa.

Toshiba šķiet ambicioza ar XL-Flash iniciatīvu, un tai jābūt vienam no lielākajiem atmiņas ražotājiem pasaulē.

Techpowerup fonts