Uk iii-v atmiņa, atmiņas nr

Pētnieki no Lankasteras universitātes Lielbritānijā ir guvuši panākumus, cenšoties radīt tāda veida neizgaistošu zibatmiņu, kas ir tikpat ātra kā DRAM, bet patērē tikai 1% enerģijas, kas nepieciešama mūsdienu NAND vai DRAM atmiņai. rakstīt datu bitus. Atmiņu sauc par UK III-V atmiņu.

Lielbritānijas III-V atmiņa, nestabila atmiņa tikpat ātri kā DRAM, patērējot 100 reizes mazāk

Nepieciešamā enerģijas patēriņa vērtība ir aptuveni 10 līdz -17 džoulu jaudām durvīm, kas uzceltas 20 nm litogrāfiskā procesā. Lielbritānijas III-V atmiņas tranzistoriem parasti būs izslēgts stāvoklis, un vārtu maksa prasīs apmēram 5 ns, bet iztukšošanai - 3 ns, abi skaitļi ir ļoti cienījami. Šie skaitļi, iespējams, būs nedaudz augstāki, pievienojot kontrolieri, bet tas būtu vērts par iegūto efektivitāti kompensēt.

Attīstība joprojām ir vienkārša tranzistora stadijā, tāpēc šī tulkošana pilnībā komerciālā produktā vēl ir tāla. Tomēr sasniegums ir tādas efektīvas un ātras nemirstīgas atmiņas veidošana, kas konkurē ar DRAM, ir diezgan liels sasniegums.

Nemainīga atmiņa tikpat ātri kā DRAM ir interesanta, jo to var izmantot tādu datoru izveidošanai, kas var saglabāt datus, kurus mēs šobrīd glabājam RAM, kad sistēma ir pilnībā izslēgta, un tāpēc tos var atsākt tūlīt, no kurienes tas tika atstāts. no pilnīga izslēgšanas stāvokļa. Tas novērstu vajadzību pēc miega stāvokļiem un arī ļautu sistēmām izslēgt operatīvo atmiņu, vēl vairāk samazinot enerģijas patēriņu.

Apmeklējiet mūsu ceļvedi par labāko RAM atmiņu tirgū

Jautājums, kas nāk prātā, ir tas, vai Lielbritānijas III-V atmiņa var apstrādāt atkārtotās pārrakstīšanas, kuras parasti notiek DRAM. Ja nodilums ir problēma, tas varētu sagraut jebkuru sapni par datoru ar nemainīgu operatīvo atmiņu.

Tomshardware fonts