Samsung sāk masveida savas piektās paaudzes vnand atmiņas ražošanu

Samsung Electronics, pasaules līderis progresīvo atmiņas tehnoloģiju jomā, šodien paziņoja par savas jaunās piektās paaudzes VNAND atmiņas mikroshēmu masveida ražošanas sākumu, kas piedāvās visātrāk pieejamos datu pārsūtīšanas ātrumus.

Samsung piektās paaudzes VNAND jau tiek ražots masveidā

Šīs jaunās Samsung piektās paaudzes VNAND atmiņas mikroshēmas ir balstītas uz DDR 4.0 interfeisa tehnoloģiju, kas ļauj pārsūtīt datus līdz 1, 4 gigabitiem sekundē, kas ir par 40 procentiem vairāk nekā tā tehnoloģijā. ceturtās paaudzes 64 slānis. Šis Samsung piektās paaudzes VNAND sakrauj ne mazāk kā 90 atmiņas slāņus piramīdas struktūrā ar vertikāli urbtiem mikroskopiskiem kanālu caurumiem. Šajos mazajos kanālu caurumos, kuru platums ir tikai daži simti nanometru (nm), ir vairāk nekā 85 miljardi CTF šūnu, kas katrā var uzglabāt trīs datu bitus.

Mēs iesakām izlasīt mūsu ziņu vietnē Ir apstiprināts, ka NAND atmiņas cena turpinās kristies

Samsung jaunās piektās paaudzes VNAND energoefektivitāte joprojām ir salīdzināma ar 64 slāņu mikroshēmas energoefektivitāti, pateicoties darba sprieguma samazinājumam no 1, 8 voltiem līdz 1, 2 voltiem. Šī jaunā atmiņas tehnoloģija arī piedāvā ātrāko datu ierakstīšanas ātrumu līdz šim - 500 mikrosekundes, kas ir par 30 procentiem lielāks nekā iepriekšējās paaudzes rakstīšanas ātrums. Savukārt reakcijas laiks signālu nolasīšanai ir ievērojami samazināts līdz 50 mikrosekundēm.

Samsung strauji paātrinās savas piektās VNAND paaudzes masveida ražošanu, lai apmierinātu plašās tirgus vajadzības, jo tas turpina vadīt augsta blīvuma atmiņas kustību tādās kritiskās nozarēs kā superdatori, biznesa serveri un jaunākās mobilās lietojumprogrammas.

Techpowerup fonts