Samsung sāk savas otrās paaudzes 10 nm finfet 10lpp masveida ražošanu

Samsung šodien paziņoja par mikroshēmu masveida ražošanas sākšanu, pamatojoties uz savas otrās paaudzes 10 nm FinFET 10LPP ražošanas procesu, tādējādi panākot jaunu veiktspējas un energoefektivitātes līmeni.

Samsung jau ir gatavs 10 nm FinFET 10LPP

Šis jaunais ražošanas process tika nosaukts par 10 nm FinFET 10LPP (Low Power Plus), un to raksturo enerģijas patēriņa samazinājums par 15%, salīdzinot ar tā pirmo 10 nm FinFET versiju, tajā pašā laikā uzlabo veiktspēju par 10%, tāpēc mums ir diezgan ievērojams uzlabojums. Tas radīs jaunas mobilās ierīces ar labāku autonomiju un jaudīgākas visu veidu uzdevumiem.

AMD izmantos 12 nm LP FinFET procesu Ryzen un Vega otrajai paaudzei

Pirmie SoC, kas ražoti, izmantojot šo procesu 10nm FinFET 10LPP, nonāks 2018. gada sākumā, lai gan sākumā to pieejamība būs diezgan ierobežota, kā tas parasti notiek visās paaudzēs.

"Mēs varēsim labāk apkalpot klientus, pārejot no 10LPE uz 10LPP ar labāku sniegumu un augstāku sākotnējo veiktspēju, " sacīja Raiens Lī, Samsung Electronics lietuvju mārketinga viceprezidents. "Samsung ar savu ilgstošo pieredzi 10 nm procesa stratēģijā turpinās attīstīt tehnoloģiju no 10 nm līdz 8LPP, lai klientiem piedāvātu izteiktas konkurences priekšrocības plaša spektra lietojumprogrammām."

Samsung ir arī paziņojis, ka tās jaunā S3 ražošanas līnija Korejā ir gatava sākt ražot 10 nm mikroshēmas un nākotnes litogrāfijas, piemēram, 7 nm FinFET ar EUV tehnoloģiju, kas tiks ražota masveidā pēdējā rūpnīcā.

Techpowerup fonts